沉积方法有化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）

在芯片制造流程里，蚀刻与沉积是塑造芯片微观结构的关键环节，二者相辅相成，共同为芯片性能奠定基础 。光刻工艺完成后，晶圆表面光刻胶上留下了精确电路图案，此时蚀刻工艺登场。蚀刻旨在去除未被光刻胶保护的硅片部分，从而形成芯片的电路结构。它分为湿法蚀刻和干法蚀刻，湿法蚀刻利用化学蚀刻液与硅片材料发生化学反应，将不需要的部分溶解去除 ，其优点是蚀刻速度快、成本较低，缺点是精度有限，各向同性蚀刻易对周边光刻胶保护区域造成影响。干法蚀刻则是在真空环境下，利用等离子体中的活性粒子与硅片材料反应，或通过物理轰击去除材料，能实现更精确的蚀刻控制，在制造精细芯片结构时不可或缺，不过设备成本高、蚀刻速率相对较慢 。沉积则是在蚀刻后的硅片上，添加金属或绝缘层，用于连接和隔离电路。常见沉积方法有化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）。CVD 通过气态的化学物质在高温和催化剂作用下分解、反应，在硅片表面沉积固态薄膜；PVD 则是在高真空环境下，将金属等材料加热蒸发或溅射，使其原子沉积到硅片表面形成薄膜。以芯片内连接不同晶体管的金属导线为例，就是通过沉积工艺形成金属层，再经光刻、蚀刻等工序确定导线形状和位置，实现电路连接 。蚀刻与沉积，如同微观世界的 “工匠之手”，精细雕琢芯片，使其拥有复杂而精妙的内部结构，满足各种电子设备的需求。光刻工艺一般包含涂胶、曝光、显影等步骤。涂胶时，在晶圆表面均匀涂抹光刻胶，厚度精准控制在微米甚至纳米级；曝光阶段，光刻机将掩膜图案投射到光刻胶上；显影则是用特定显影液溶解曝光或未曝光的光刻胶，让电路图案显现。每一步都需严格把控参数，温度、湿度、时间等微小变化，都可能影响图案质量，导致芯片性能下降甚至报废 。