半导体器件的尺寸不能无限制地减小，德州仪器TI更高的集成度   

更高的集成度世界集成电路主流工艺将经过：2007年的65纳米（集成电路线宽）、2010年的45纳米、2013年的33纳米、以及2016年的22纳米工业化生产的4个发展阶段。为此，就必须解决一系列的关键技术和专用设备，如：新型器件的研发（非传统CMOS器件、新型存储器、逻辑器件等），IC设计、封装、和测试技术，新型光刻机、刻蚀机等配套设备等。    半导体器件的尺寸不能无限制地减小，如果器件尺寸小到电子的德波罗依波长（10纳米），量子效应将会更加明显，这时需要设计建立在量子力学原理基础上的新型半导体器件。半导体光电器件半导体光电器件向更长和更短波长、更大功率、更高工作频率的方向发展   大功率激光器列阵分准连续(QCW)器件与连续(CW)器件，它们除了作固体激光器的泵浦源外，还可直接用作材料加工、医疗、仪器、敏感技术、印刷制版等，进入传统中由非半导体激光器主宰的市场，代替气体、固体激光器。AlGaN/GaN异质结双极晶体管具有线性好、电流容量大、阈值电流均匀等优点，主要应用在线性度要求高、工作环境苛刻的大功率微波系统中，如军用雷达、通信等；还可应用于在苛刻环境下工作的智能机器人等系统中。波长为808nm的AlGaAs大功率激光器是大功率YAG（掺钇铝石榴石）固体激光器的泵浦光源，代替了原来的氙气激光器，取消了庞大的电源和冷却系统，使固体激光器变得高效率、小体积、高性能、长寿命、低成本，适合于军事应用，例如激光雷达和核爆炸模拟、核聚变研究。水下光传播的窗口为590nm，蓝绿光激光器的诞生为水下通信开了绿灯。火箭、飞机飞行过程中掌握方向的光纤陀螺中最关键的器件是半导体超辐射发光二极管。环境保护     大自然中，水汽、甲烷、氨气、二氧化碳、一氧化碳、盐酸、溴酸、硫化氢等气体的灵敏吸收峰在1.5-2.0mm范围。InAsSb或GaInAsSb应变量子阱激光器的波长可达1.0-4.0mm范围，近年来出现的量子级联激光器的波长可达4.0-17mm。这些覆盖了红外－远红外范围的各类激光，构成了大气监控、监测的环保卫士。半导体技术的未来发展信息技术的革命     信息传输。信息量的爆炸式的增加，对信息通道的容量要求越来越大。在网上传递的不仅是文字、而且还有音乐、图像、电视信号等；不仅是有线，还需要无线；不仅是洲际、国际、城际，而且需要局域网。为此需要发展新的通信系统，如综合业务数字网络（ISDN）以及多媒体技术等。信息处理，包括文本处理、知识处理、图像处理以及语言识别、图像识别、智能化处理等。人工智能就是通过计算机实现了某些人的智能。例如：理解和发出语言、识别图像、作数学证明、下棋、音乐作曲、进行专业鉴定、医学诊断等。计算机将把人们从一部分日常的脑力劳动中解放出来，并且通过应用“思维工具”把人们的智慧扩大到以前不可想象的程度。